FDV302P
1个P沟道 耐压:30V 电流:200mA产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
封装SOT-23
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))4Ω@10V,0.2A
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)2.8nC@10V
反向传输电容(Crss)15.1pF@30V
数量1个P沟道
输入电容(Ciss)30.5pF@30V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：4284近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.294
总 价:
￥0.294
圆盘
数量价格
10￥0.294
100￥0.233
300￥0.204
3000￥0.181
6000￥0.162
9000￥0.153
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