AP10TN135N
N沟道,电流:3A,耐压:100V产品属性
类型描述
商品目录分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET
包装圆盘
工作温度-55℃~+150℃
封装SOT-23
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))105mΩ@10V,3A
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)4.3nC@10V
反向传输电容(Crss)21.4pF@50V
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)196pF@50V
环境与出口分类
属性描述
RoHS 状态符合 ROHS3 规范
REACH 状态-
湿气敏感性等级 (MSL)-
ECCN-
HTSUS-
现货：2111近期成交量:0单制造商标准包装数量
数 量:
￥0.411
总 价:
￥0.411
圆盘
数量价格
10￥0.411
100￥0.328
300￥0.286
3000￥0.245
6000￥0.220
9000￥0.207
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